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发布于 教育 2024-07-22
2个回答
  1. 匿名用户2024-01-31

    3 结果和讨论。

    为了研究GA和N空位的性质,我们首先创建了纳米线。

    一个镓和n个空位对应于空位集中。

    表面 ** 标志为绿色和红色字段地图。 分别为 2 (G11) 和 (N11)。 镓和 n 空位建立在纳米线的显示图上。

    分别为 2 (G12) 和 (N12)。 然后,我们增加了空缺集中度。

    从到,以研究空缺集中的影响。

    在磁性纳米线上。 第二和第三个 GA 和 N 原子。

    移除了超级单元的表面和内部** [见图] 2] 我们先走吧。

    Supercell的计算GA48N48没有任何间隙,事实证明,放松原子位置的原因是面积大。

    技嘉GA-N键长环在外层边缘方向为[0001]。

    From to A:相对于 A 的大部分值,这意味着。

    收缩 在纳米线的中心,收缩,是。

    小于这些值的值接近收缩报告的其余部分。

    密度泛函理论计算。 Ga-N键[21]的长度垂直于纳米线。

    方向在契约的外缘和中心,收缩小于与文学价值相比。 [22] 计算总能量,并优化整个几何形状。

    所有配置图。 2 。计算结果摘要见表中。

    首先,镓纳米线内形成能量的空位是 ,以及 EV 和 的相应空位浓度。

    分别。 这些值与计算值相当。

    EV空缺,用于氮化镓批次。 [23] 以及由此产生的能量。

    表面 ** 配置 (G11) G13) 和 (G15 铺位) 是 和 。

    EV 额定值分别递增。 因此,很明显,镓表面形成了空位。

    相比之下,纳米线或散装更容易。 n 个职位空缺,形成。

    放置在纳米线表面的能量也低于纳米线上的能量,这表明空位更倾向于驻留在纳米线的表面。 我们。

    值得注意的是,大的地层可能是镓和n空位的原因。

    强共价镓-n键和表面开口似乎更容易形成。

    因为没有那么多的纽带,所以表面必须被打破。

    比内纳米。 虽然能量的形成是较高的镓空位。

    特定的氮空位、镓和氮在生长和沉积过程中都会由于热波动而产生空位。

  2. 匿名用户2024-01-30

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    他告诉他们不要只根据一个季节来判断一棵树。 这样,一个人一生的悲伤、喜悦和热爱,都只来自结局的衡量标准。

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