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电压低不高都没关系,功耗和散热问题不多,我不明白你低时序的意思,不管是低触发电压还是长时间,内存只读取上升沿和下降沿瞬间的数据, 这应该与时序关系不大,因为工作频率相同,性能也差不多!希望!
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所有内存最好是低电压和低延迟(相同的频率),但**要差得多。
选择“内存”,首先选择“高频”,然后选择“定时(延迟)”,然后选择“电压”。
**,这取决于你的承受能力。
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G.SKILL)DDR3 1600 4GB (2GB x 2) 台式机内存 (F3-12800CL7D-4GBRH) 819 元。
计时 7-7-7-24
工作电压。 G.SKILL)DDR3 1600 4GB (2GB x 2) 台式机内存 (F3-12800CL8D-4GBRM) 739 元。
计时 8-8-8-24
工作电压。 G.SKILL)DDR3 1600 4GB(2G*2)台式机内存(F3-12800CL9D-4GBBNQ)649元。
计时 9-9-9-24
工作电压。 G.SKILL)DDR3 1600 6G (2G 3) 台式机内存 F3-12800CL8T-6GBPI 1039元。
计时 8-8-8-21
工作电压。 G.QI)DDR3 1600 6G (2G 3) 台式机内存 (F3-12800CL9T-6GBBNQ) 售价 989 元。
计时 9-9-9-24
工作电压。 以上几个不考虑**,这是不是比较好的性能---
G.SKILL)DDR3 1600 4GB (2GB x 2) 台式机内存 (F3-12800CL7D-4GBRH) 819 元。
计时 7-7-7-24
工作电压。
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我还玩了一段时间 DDR400 的内存。
我还比较清楚。
我的 2 双面 DDR400Kingston 内存很正常,不能很好地超频。
我调谐了 n 个长时间的时序和外部频率。
我被超越了 500 频率。
而且运行稳定。
从那以后我一直在使用它。
DDR400 内存。
一般标准时间。
是的,3338也有。
7. 如果强行将内存时序设置得太低。
有两种可能性。
1.要么你不能打开它。
估计DDR400时代的主板电脑开机失败,BIOS可以自动恢复,这种情况并不常见。
此时,您只需要转到手动跳线重置BIOS设置即可。
2.要么启动机器。
估计你调到 2
计算机极不稳定。
您运行软件。
游戏。 问题随时可能出现。
蓝屏。 崩溃。
在正常使用中根本没有稳定性。
这有什么意义。
提高内存性能。
时序应该去频率。
意义: 增加频率占主导地位。
调高时序以匹配频率的增加以稳定内存。
毕竟,内存的频率增加是性能的关键。
DDR400 超频最好设置为 3338
内存频率增加。
即使时机被调高。
还可以获得性能(您可以打开各种性能测试软件试用版)。
对于你的问题。
这就是要说的。
给分。 给分。
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DDR3 低电压和普通 DDR3 内存的区别在于:功耗不同,延迟时间不同,粒子规格不同。 一般来说,普通的 DDR3 内存更适合 DDR3 低电压。
由于引脚和封装等关键特性保持不变,因此只需稍作修改即可使用DDR3低电压和公共设计的显卡,有利于制造商降低成本。
首先,功耗不同。
1、内存DDR3低电压:降低内存DDR3低电压的核心工作电压,降低其功耗。
2.一般普通DDR3内存:为了满足高带宽的要求,一般普通DDR3内存具有较高的功耗。
二是延迟时间不同。
1.内存DDR3低电压:由于能耗降低,内存DDR3低电压可以达到更高的工作频率,这在一定程度上弥补了延迟时间长的缺点。
2.普通DDR3内存:由于能耗高,普通DDR3内存存在延迟时间长的缺点。
第三,颗粒规格不同。
1.内存DDR3低电压:内存DDR3低电压颗粒的规格多为32M x 32bit,单个颗粒容量大,4个颗粒可组成128MB显存。
2.一般普通DDR3内存:普通DDR3内存的粒径多为16M x 32bit,中高端显卡常用的128MB显存需要8块。
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一般来说,DDR3 和 DDR3L 相互兼容,可以一起使用,但英特尔新推出的 Haswell 处理器基本只支持 DDR3L 内存,很少有支持 DDR3 标准电压内存。 别的也没关系,但为了顾及个人感受,DDR3还是搭载了DDR3,DDR3L搭配DDR3L更好。
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可以是通用的。
低压版本需要更低的电压,消耗更少的功率,产生的热量更少。
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DDR3的电压为:
DDR3L的电压为:
芯片手册并没有说它是通用的。
电压都不一样,还能通用吗? 有趣!
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最大的区别是它不兼容...... 不可能是普遍的......
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DDR3 和 DDR3L 相互兼容,可以一起使用。
不过,英特尔新推出的Haswell处理器基本只支持DDR3L内存,支持DDR3标准电压内存的很少。 否则也没关系。 为了兼顾个人感受,DDR3还是搭载DDR3,DDR3L搭配DDR3L更好。
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DDR4内存本身都是电压,根本没有低电压或标准电压。
不合格电压和低电压的内存是DDR3,而不是DDR4
DDR4内存是新一代的内存规格。 2011 年 1 月 4 日,三星电子完成了历史上第一款 DDR4 内存。 DDR4 和 DDR3 之间有三个最大的区别:
16位预取机制(DDR3为8位),理论速度是相同核心频率下DDR3的2倍; 传输规格更可靠,进一步提高数据可靠性; 工作电压下降,更节能。