笔记本上FET三极管的控制级在哪里？

一个普通的SMD MOSFET实际上是朝上的，一个引脚是D（漏极），两个引脚朝下，G（栅极，这是你要找的控制极）在左边，S（源极）在右边，如下图所示

我们来看上面的模型，一般有三行字，一般中间一行是模型，还有第一行是模型。

拿到模型后，它就到了。

里面搜索，要特别注意搜索pdf信息，不要搜索**。在pdf数据中，有详细的引脚说明、参数说明，引脚描述中的栅极是控制极，也叫栅极。

==== 对不起，我刚才回头看了你说的，3,4,1针，显然，3英尺并联，4英尺并联，它们都要走大电流，分别是D极和S极，所以单脚就是控制极......

如果是单管和S一起，则引脚4为G，另一侧连接为D，如果是双管，则引脚1为S，引脚2为g为D，另一管为引脚3为S，引脚4为G为D; SOT-23封装为D，单引脚为D，D为抬头看管，左边是G，右边是S，

印刷的文字面朝上，一只脚朝前，双脚一侧的左脚是g-控制杆。

左手握住三极管缺口，从上到下向右数，它们是三个极点。 MOSFET最初是三极管。 只是原则上是箝位型，输入阻抗非常高。

四是连接零线。 由于FET的输入阻抗非常高，在开路时对击穿的容忍度很强，因此需要保证控制在正常时间设定为0电平。

2.当测量一个二极管时，另一条腿就足够了。

MOSFET不能称为晶体管。 MOSFET和晶体管的功能相似，但工作原理不同：1、三极管为双极管，即管内有空穴和自由电子两种载流子; MOSFET是单极管，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导通，同时只有一种载流子; 2.晶体管是电流控制装置，它只会有输入电流。

晶体管和MOSFET都可以用来做开关，那么它们之间有什么区别呢？

晶体管和MOSFET是放大和开关电路中非常常用的电子元件。

1.三极管。

晶体管的最初发明以其优异的性能迅速取代了电子管，但后来在晶体管的应用中暴露了一些先天缺陷——结构问题引起的缺陷，在这种情况下迫切需要制造一种能够克服晶体管缺陷的晶体管，于是场效应晶体管诞生了。

2. 一个 FET。

最让人捧腹的是输入阻抗极高，是三极管无法比拟的，但它的出现并没有像晶体管消除电子管那样完全取代三极管，它不是万能的，在某些方面还不如三极管，所以不能笼统地说谁好谁不好。

由于FET是在三极管的基础上发展起来的，所以在很多方面都与晶体管相似，两者完美匹配，应用广泛。

晶体管是电流控制型。

MOSFET是电压控制的。

我将其与型号区分开来：

MOSFET型号，如IRF....

晶体管型号如国产：3DD，国外：2S....

FET 有两种命名方式。

第一个命名法与双极三极管有关，第三个字母 J 代表结 MOSFET，O 代表绝缘栅极 FET。 第二个字母代表材料，D为p型硅，反层为N沟道; C 是 n 型硅 p 沟道。 例如，3DJ6D 是结 N 沟道 FET，3DO6C 是绝缘栅 N 沟道 FET。

第二种命名方式是CS，CS代表FET，数字代表型号的序列号，字母代表同一型号的不同规格。 例如，CS14A、CS45G等。

总结。 你好，FET的源极S、栅极G、漏极D分别对应三极管的发射极E、基极B和集电极C，它们的功能相似。

MOSFET是压控电流器件，由VGS控制，其放大系数GM一般较小，因此MOSFET的放大能力较差; 晶体管是一种电流控制的电流设备，由IB（或IE）IC控制。

如何判断MOSFET还是三极管是基于模型的？

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你好，FET的源极S、栅极G、漏极D分别对应三极管的发射极E、基极B和集电极C，它们的功能相似。 2.MOSFET是压控电流器件，由VGS控制，其放大系数GM一般较小，因此MOSFET的放大能力较差; 晶体管是一种电流控制的电流设备，由IB（或IE）控制。

您好，亲爱的，很高兴回答您的<>

晶体管和MOSFET通常具有相似的外观，因此很难用肉眼区分它们。 但是，晶闸管铁芯通常具有不同的外观和标记，因此可以通过以下方法进行区分：- 晶闸管通常有三个引脚，其中一个是“栅极”，另外两个是“主极”。

主极通常比栅极大，芯片具有独特的封装。 另一方面，三极管和MOSFET通常只有两个引脚。 - 晶闸管引脚通常排列在一条直线上，而三极管和MOSFET的引脚则并排排列。

晶闸管上通常有一些明显的标记，例如“scr”或“晶闸管”字样或斜杠标记。 三极管和MOSFET通常没有这种标记。 <>