对于相同的电流MOSFET或晶体管功耗，哪个更大

对于处于工作放大状态的两者，当电源电压相同时，功耗基本没有区别，电路连接形式相似---如双极三极管的共发射极和场效应晶体管的共源极，负载相同---集电极电阻和漏极电阻相同。

当然，双极晶体管会稍微大一些，毕竟是电流控制器件，基极电流的存在会增加一些功耗。 另一方面，FET 是电压控制的，栅极不需要输入功率（用于直流和低频）。

对于在开关状态下工作的两人来说，当电流不太大时，MOSFET的功耗往往会更低，毕竟MOSFET开关速度更快，饱和损耗也更小。 但是，对于大电流（例如，超过100 A）的应用，双极三极管的功耗可能更小，因为在电流非常高的情况下，双极三极管的饱和压降非常小（通常低于），MOSFET不会占上风，饱和电压会更大。

你可以自己算一下：当两者都在开关状态下工作时，IRFP460的饱和功耗为，13007的饱和功耗为参考数据，13007饱和压降的典型值为IC=5A时。

这就是为什么IGBT型复合开关器件比MOSFET更适合高背电压、大电流应用的原因。

电流MOSFET，但容易损坏，应谨慎使用。

在交流电路中，二极管通常用于整流电源。 当二极管导通时，它具有较低的正向压降，因此具有非常低的电阻，而在反向电压下，二极管基本上是不导电的。 因此，在交流电路中，通常使用二极管将交流信号变为直流信号，即将正半周期信号变为全正电流或电压，并切断反向半周期信号的电流或电压。

二极管的功耗通常由两部分组成：正向导通损耗和反向截止损耗。 主要的正导通损耗**是二极管的正向压降，这取决于电流和二极管的特性。

一般来说，在正向电流相对较小的情况下，二极管的正向电压较低，正向导通损耗相对较小。 当正向电流增加时，二极管的正向电压也会增加，导致正向导通损耗增加。 因此，在实际应用中，需要根据具体的电路需求选择合适的二极管，以确保满足所需的功率，并可以保留所需的电流范围。

反向截止损耗是指二极管反向电压脉冲时发生的功率耗散。 （在反向电压下，二极管在截止状态下工作，反向电流非常小。 但是，当反向电压突然增加时，二极管会迅速击穿，导致大量反向电流流过，从而产生反向截止损耗。

反向截止损耗的大小主要取决于垂直二极管的额定反向电压和施加到二极管上的电压脉冲的大小。 因此，在选择二极管时，需要根据电路的实际工作条件和最大负载电压来确定二极管的额定反向电压和重复电压的抗击穿特性。

需要注意的是，二极管的功耗随其负载电流和电路的工作状态而变化。 因此，在设计电路时，需要进行合理的功率分配，选择合适的尺寸和额定二极管，以最大限度地保证电路的安全可靠和良好的工作性能。