关于内存 DDR2， 关于内存 DDR

首先，你的问题不应该是“DDR2”。 这不是 DDR2 与 DDR 的问题。

845不支持内存双通道，CPU本身也不支持集成内存控制器，所以对双通道的支持不如Intel，另一个原因是由于主板架构不同，AMD的内存性能不如DDR2，目前还不支持。

如果想购买DDR2，建议购买667频率。 因为DDR2的时序参数比DDR慢很多，所以频率非常高，会比DDR有很大的优势。 由于时序参数较慢，533 和 DDR400 之间的实际性能差异可能很明显，但并不显着。

这就像为什么 DDR 从 DDR266 而不是 DDR200 开始

好。 废话说了这么多，现在转向正确的身体。

内存的双通道实际上是一种主板芯片组技术，而不是一种内存技术。 要实现双通道内存技术，必须使用两个或四个相同大小和容量的内存。 并且要严格按照安装方法（主板说明书介绍，一般是1+3或2+4或插上）。

事实上，这不是浪费，两个 256 比一个 512 快，但并不快多少。 你可以先买一个512，如果你认为可以，你不需要改变它; 如果你觉得不行，可以再买一台同品牌相同规格的512，这样就形成了1G双通道。

他的第一个建议是可以的，第二个建议你可以告诉他们的老板，一般来说，你第二天回去时不会见到他。

因为我被解雇了。

第二个建议是很垃圾的。

845的板子最多配备DDR400，基本无法支持。

845 通常也不支持双通道。

845前端总线最大有533个，加上CPU的800个外部频段，100%的带宽瓶颈。

1.当然，双通道需要两个内存。

主板不能在 AMD 的 CPU 上

以上几个人都很好，我只想说点实事求是的话，实现双通道+超线程CPU多重操作会更快。

DDR3 的工作电压比 DDR2 低，性能比 DDR2 更好、更省电。 DDR2 的 4 位预读已升级为 8 位预读，DDR3 最高可达 1600MHz，最快的 DDR2 内存速度已提升至 800MHz 1066MHz，因此首批 DDR3 内存模块将从 1333MHz 跃升。 在COMPUTEX展会上，我们已经可以看到多家内存制造商展出了1333MHz DDR3模块。

DDR3 采用基于 DDR2 的 8 位预取设计。 点对点拓扑架构和100nm以下生产工艺等最新技术。

由于 DDR3 的预取是 8bit，所以突发传输周期也固定在 8，而对于 DDR2 和早期的 DDR 架构系统，BL=4 也是常用的，DDR3 增加了 4bit 突发 CHOP 突发突变模式，即 BL=4 读取操作加上 BL=4 写入操作来合成 BL=8 数据突发传输， 这种突发模式可以通过 A12 地址线控制。同样重要的是要注意，任何突发中断操作都将在 DDR3 内存中被禁用并且不受支持，并将被更灵活的突发传输控制所取代。

正如 DDR2 从 DDR 转换后的延迟周期数增加一样，DDR3 的 CL 周期也会高于 DDR2。 DDR2 的 CL 范围通常在 2 5 到 5 之间，DDR3 的设计也发生了变化。 在 DDR2 中，AL 的范围为 0 4，而在 DDR3 中，AL 有三个选项，分别是 0、CL-1 和 CL-2。

此外，DDR3 还增加了一个新的时序参数：“写入延迟”，该参数将根据特定的工作频率来确定。

DDR3省电，速度更快 1333、1600、2000、2133买4g 1333是最实惠的，1600没什么好改进的，超过1600的热度越来越大，2000+都在用开放式风扇。

在实际使用中，速度提高了5%-10%左右！ 但是，DDR3 需要主板支持，而不是只支持 DDR2 的主板不能升级到 DDR3！

可以很容易地从频率上分析。

DDR3 主流是 1600。

DDR2 主流是 800。

也就是说，可以理解为DDR3比DDR2快近2倍！

性能并不高多少，但实际上增加了一点频率。

DDR2 比 DDR1 好得多。

它不会快很多，理论数据在实际应用中根本不会快。 只不过 DDR3 比 DDR2 更能适应当前 CPU 的内存带宽需求。

昂达B365CD3主板，369片，支持双D3内存插槽，最高可达Intel i7 9700KF八核八线齐程CPU，是目前最强的CPU可以使用DDR3内存模块主板，还可以支持i5 9400F六核六线程。

DDR3 在实现高带宽的同时，其功耗可以降低，其核心工作电压从 DDR2 到 DOR2，相关数据**DDR3 相比目前的 DDR2 将节省 30% 的功耗，当然，我们不需要担心发热。 在带宽和功耗之间取得平衡。

相信很多朋友一定不了解DDR2和DDR3，想增加DDR3和DDR3L的基础知识？ 如果您想知道，那么让我们和我们一起了解一下！ 那么，DDR3和DDR3L到底是什么？

DDR2 和 DDR3 之间的区别

1.逻辑库数量不同：DDR2

SDRAM有4bank和8bank设计，以满足未来对大容量芯片的需求。 DDR3 很可能从 2GB 容量开始，因此将有 8 个逻辑库开始，16 个逻辑库也为未来做好了准备。

2.不同的封装：由于DDR3中增加了一些功能，引脚会有所增加，8BIT芯片使用78球FBGA封装，16位芯片使用96球FBGA封装; DDR2 采用 60、68 和 84 焊球 FBGA 封装。 并且DDR3必须是绿色包装，不得含有任何有害物质。

3.突发长度不同：由于DDR3的预取是8位，所以突发传输周期（BL、突发

length） 也固定为 8，BL=4 也常用于 DDR2 和更早的 DDR 架构。

DDR3 为此添加了 4 位突发

CHOP（Burst Mutation）模式，即使用BL=4读取操作加上BL=4写入操作来合成BL=8数据突发传输，这种突发模式可以通过A12地址线进行控制。

4.寻址时序不同：正如DDR2从DDR转换后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也会高于DDR2。 DDR2 的 CL 范围通常在 2 到 5 之间，而 DDR3 的 CL 范围在 5 到 11 之间，附加延迟 （AL） 的设计也发生了变化。

在 DDR2 中，AL 的范围从 0 到 4，而在 DDR3 中，AL 有三个选项，分别是 0、CL-1 和 CL-2。 此外，DDR3 还增加了一个新的时序参数，即写入延迟 （CWD），该参数将根据特定的工作频率来确定。