为什么晶体振荡器旁边的电阻这么大

晶体振荡器旁边的电阻（并联和串联）[YXC阳星晶体振荡器]。

电路在其输出端串联一个22k电阻，在其输出端和输入端之间连接一个10m电阻，这是由于连接晶体振荡器的芯片端内部是线性运算放大器，输入反转180度输出，由晶体振荡器处的负载电容电阻组成的网络又提供了180度的相移， 并且整个环路的相移为360度，满足振荡的相位条件，同时要求闭环增益大于或等于1，晶体才能正常工作。

晶体振荡器输入输出连接的阻性功能是产生负反馈，以保证放大器工作在高增益的线性区域，同时起到限流的作用，防止逆变器的输出过度驱动晶体振荡器而损坏晶体振荡器。

通常使用与晶体振荡器串联的电阻器来防止晶体振荡器过载。 晶体振荡器过驱的后果是逐渐损耗会减少晶体振荡器的接触镀层，这会导致频率上升，导致晶体振荡器的早期故障，这也可以说是用于驱动电平调节。 它用于调整驱动水平和振动裕度。

xin和xout的内部通常是施密特逆变器，逆变器不能驱动晶振**。 因此，在逆变器的两端并联一个电阻器，输出信号180度反馈到输入端，形成负反馈，形成负反馈放大器电路。 晶体和电阻，电阻和晶体的等效阻抗是并联关系，想想电阻是大还是电阻小，晶体的阻抗小？

电阻的作用是在电路内部的逆变器上增加一个反馈回路，形成一个放大器，当晶体和其中，反馈回路的交流当量会根据晶体频率产生谐振，因为晶体的q值很高，所以电阻在很宽的范围内变化不会影响输出频率。

晶体的q值很高，q值是什么意思？ 晶体的串联等效阻抗为 ze = re + jxe， re<< jxe|晶体一般相当于一个非常高的电感，与电感器相当，而导线的电阻相当于电感器很小。 Q 一般达到 10 -4 的量级。

避免信号太强而无法破坏晶体。 阻力一般比较大，一般几百k。

电阻用于限制振荡的幅度，根据LZ的晶体振荡器，进入的两个电容一般在20 30P左右，为几十MHz，主要用于微调频率和波形，并影响幅度。

但是，当转换为并联等效阻抗时，RE越小，RP越大，这是一个现成的公式。 晶体的等效RP非常大。 外部合并的阻力被合并到这个 rp 上，因此 RP 值降低 -- re 值增加 -- q 值减小。

为什么有很多修理板子是一件令人头疼的事情，而修理它是最终目标。

两者的电阻，这是正常的，建筑物的主修板应该是灵活的，例如，运行FF的一些板实际上已经点亮了。

首先，我很佩服你执着的精神，我也有点这样，我总是喜欢找出答案。 我觉得它会受到限制。

唉，电路的问题，我不明白！

并非每个使用晶体的地方都必须添加。

这部分是由于晶体驱动电路，部分是因为晶体或加工工艺的不同类型。

这个阻力不全是1m，有的大有小，更多的是与工况有关。

基本上，它的作用是起到阻抗匹配的作用，使晶体的驱动电路或晶体本身处于更好的工作状态。

石英晶体具有高品质的品质因数，振荡电路采用恒温恒压稳压后，振荡频率稳定性可达10（-9）至10（-11）。 广泛应用于通讯、钟表、电脑、......需要高度稳定信号的场合。

一般来说，这个电阻器不需要添加。 对于晶体振荡器，其工作是否正常需要考虑负载是否匹配以及激励功率是否在规格范围内。 因此，需要考虑负载电容的大小，电路提供的励磁功率不宜过小或过大。

通常，该晶体振荡器的串联谐振阻抗 （ESR） 约为 80 欧姆。 此外，该电阻对晶体振荡器影响不大。 因此，您需要查看该电阻器是否与您正在使用的芯片有关。

因为，通过芯片向外看，这个电阻器，包括晶体振荡器，成为它的负载。

这个电阻器的作用是防止晶体振荡器振动过大，消耗过多的功率，所以在它并联一个非常大的电阻器上，这样你就可以用那个纽扣电池工作更长的时间了！

电阻的作用是在电路内部的逆变器上增加一个反馈回路，形成一个放大器，当晶体和其中，反馈回路的交流当量会根据晶体频率产生谐振，因为晶体的q值很高，所以电阻在很宽的范围内变化不会影响输出频率。

晶体的q值很高，q值是什么意思？ 晶体的串联等效阻抗为 ze = re + jxe， re<< jxe|晶体一般相当于一个非常高的电感，与电感器相当，而导线的电阻相当于电感器很小。 Q 一般达到 10 -4 的量级。

避免信号太强而无法破坏晶体。 阻力一般比较大，一般有几百个租漏。

电阻是用来限制振荡幅度的，根据LZ的晶体振荡器，进去的两个电容一般在20 30P左右，一般在20 30P左右，主要用于微调频率和不良波形，并影响幅度，进入的电阻取决于IC规格， 有的用于反馈，有的用于EMI的对策。

但是，将掩蔽转换为并联等效阻抗后，RE越小，RP越大，这是一个现成的公式。 晶体的等效RP非常大。 外部合并的阻力被合并到这个 rp 上，因此 RP 值降低 -- re 值增加 -- q 值减小。

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