FET可以做升压电路吗，你能自己做吗？

是的，必须使用倍压电路和**电路（交流电只有在产生交流电时才能升压）。

场效应晶体管（FET））缩写为场效应晶体管。主要有两种类型（结型FET-JFET）和金属氧化物半导体FET（MOS-FET）。 它由大多数载波传导，也称为单极晶体管。

它是一种电压控制的半导体器件。 具有输入电阻高（107 1015）、低噪声、低功耗、动态范围大、易于集成、无二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，已成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。

场效应晶体管（FET）是利用控制输入环路的电场效应来控制输出环路电流的半导体器件，并以此命名。 因为它仅通过半导体中的大多数载流子导电，所以它也被称为单极晶体管。

是的，只要你学过模拟电路技术; 请不要一直问怎么做，因为如果你一直问，它会一直持续下去！

当然，如果您熟悉开关电源，则此实现非常简单。

总结。 MOSFET基本上通过电场效应来控制电流的大小。

MOSFET基本上通过电场效应来控制电流的大小。

MOSFET具有三极管所不具备的许多优点，这扩大了其在大规模集成电路中的应用范围。 例如，它具有功耗低、体积小、输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造简单等诸多优点。 鉴于上述优点，许多场效应晶体管被用于大规模集成电路。

这很简单，但是使用MOS管的人比使用晶体管的人少得多。

MOS管是一种电压控制装置，即需要电压控制G引脚来控制管子的电流。

一般来说，市面上最常见的是增强型N通讯MOS管，可以用一个电压来控制G的电压，MOS管的导通电压一般是2-4V，但要完全控制，这个值应该上升到10V左右。 向您推荐一种方法。

基本方法：使用控制电压（比较器同相输入）和基准电压（比较器反相输入），同时进入电压比较器（比较器电源接12V并接地，如LM358作为比较器），电阻上拉后，比较器的输出端连接到G引脚， 如果控制电压高于基准电压，则控制MOS管的输出电流。

基准电压可以来自采样电阻，即NMOS的S极接一个大功率小尺寸的电阻，然后接地，这个电阻用于电流采样，当电流流过电阻时，就会形成一个电压，并被放大作为参考。

刚开始的时候，电流很小，所以控制电压比基准电压高很多，这时G引脚基本加了12V，可以让管子快速导通，过不了多久，当电流增加并逐渐达到一定值时，基准电压迅速上升， 当控制电压接近并超过时，比较器将输出低电平（接近0V）切断电子管，电流减小。然后当电流减小时，基准电压再次下降，管子再次导通，电流再次增加。 然后循环重复。

如果用DA输出代替控制电压，可以得到MOS管的精确控制，我们之前已经实现了10-2000mA的输出范围，步进1mA，输出电流精度正负1mA。

要降低 FET 的电压，只能使用 FET 的可变电阻区间。 该动作相当于一个电阻器。

而且它通常不是这样使用的。

什么电压降？ 什么场合？

以上开始打开。 但我的实际应用是将其添加到 12v。

这个电压管不同，电压也不同。 有些 v，有些需要 v。

宏观是的。

但是，栅极是有电容的，实际使用时仍需考虑驱动电流。 当频率很高时尤其如此。

晶体管和MOSFET工作原理的3D动画，直观地了解它们的电流方向。

打结的 n 沟道排气形状场管就足够了。