电子元件问题，电子元件问题

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1：A 是 N 沟道 FET，可通过 ID 电流在 RE 上产生自给自足的反向偏置电压，并可在恒流状态下工作。

2：B、长亮C为N沟道增强型MOS管，GS只能正向偏置工作，不可能在恒流状态下工作，如图所示。

3：D 是 V 沟道 FET，具有由 VOO 提供的正向偏置，电路可以在恒流状态下工作。

场效应晶体管（FET））缩写为场效应晶体管。主要有两种类型（结型FET-JFET）和金属氧化物半导体FET（MOS-FET）。 导电是通过击败大多数载流子（也称为单极晶体管）来实现的。

它是一种电压控制的半导体器件。 具有输入电阻高（10 10）、低噪声、低功耗、动态范围大、易于集成、无二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，已成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。 场效应晶体管（FET）是利用控制输入环路的电颤动场效应来控制输出环路电流的半导体器件，并以此命名。

因为它仅通过半导体中的大多数载流子导电，所以它也被称为单极晶体管。

瞬态抑制二极管。

当电路出现异常过电压并达到其击穿电压时，它迅速由高电阻变为低电阻，为瞬时电流提供低阻抗导通路径，同时将异常高压钳位在安全水平内，以保护被保护的IC或线路; 当异常过电压消失时，它回到高阻抗状态，电路正常工作。

似乎已经烧坏了。

从视觉上看，它是一个肖特基二极管，它已经烧坏了。

这里的烧毁意味着电路的其他部分也会受到过压和过流的影响，并且很可能其他地方的组件会损坏。

这是一种瞬态抑制二极管，在正向上与普通二极管相同，并抑制了反向的电压尖峰。

什么元件，万用表可以断开连接，不是吗。

成分：工厂加工的产品分子组成不变，产品可称为成分，不需要能清除电源的装置。

它包括：电阻器、电容器、电感器。 （也称为无源元件）。

器械：在生产加工过程中改变其分子结构的器械称为器械。

这些设备分为：1有源器件的主要特点是：（1）其自身的电能消耗（2）。它还需要一个外部网桥来启动源。

2.分立器件，分为（1）双极晶体、三极敏感晶体管、（2）场效应晶体管、（3）晶闸管和（4）半导体电阻电容器。

3.模拟集成电路主要是指由电容器、电阻器、晶体管等组成的集成电路，用于处理模拟信号。 模拟集成电路有很多，如集成运算放大器、比较器、对数和指数放大器、模拟乘法（除法）器件、锁相环、电源管理芯片等。

模拟集成电路的主要元件有：放大器、滤波器、反馈电路、基准电路、开关电容电路等。 模拟集成电路设计主要由经验丰富的设计人员通过手动电路调试和仿真获得，大部分相应的数字集成电路设计都是在EDA软件的控制下，利用硬件描述语言自动合成的。

220V的电压在电路中会有电流，如果有电流就会消耗电能，构成电路的材料也决定了电路可以承载的电流强度。

消耗的电能可以用公式u=v*v r表示，电流可以用v r表示。 也就是说，电阻越大，功率越小，电流越小。 两个串联的1000k是2000k，功率只有24瓦左右，电路只有110毫安。

这是少量的电流和功率，与节能灯大致相同，所以这没有错。

而直接连接，电阻主要是导线的电阻和接触电阻，基本上只有1欧姆左右。 电流达到几百安培，功率达到数万瓦，对于普通家庭的电力供应来说是无法承受的。 所以它会是砰的一声。

如何称它为直接连接，它会砰砰作响。

首先，单从封装的角度来看，是TO220封装，一般是晶体管或MOSFET，可以是三极管、达林顿晶体管、双二极管或FET。 从随附的文字来看，应该是两个相对的PN结，可能是三极管或双二极管，因为FET的栅极断开，二极管文件无法测量值，而达林顿二极管文件测量的值会相差很大，大概是两倍左右。 在工作状态下，如果晶体管工作在放大状态，则1引脚和2引脚之间的电压差只有零点几伏，如果晶体管工作在截止状态（如果也被认为是工作状态），则BE结（1和2引脚之间）的反向击穿电压远小于CB结， 而且很难达到160伏以上，而图中的两个结是160伏以上的反向偏置，所以很可能是双二极管。

下面是一个双二极管**，

如果在电子变压器次级，它应该是双二极管。

霓虹气泡是一种无色惰性气体（氖气）灯泡管，安装在电探测器中，在电场的激励下，它能产生强烈的红光透射，当物体带电时，用笔测试霓虹灯泡的红度，否则霓虹灯泡不亮; 光的亮度随电压而变化。

这是一个霓虹灯泡泡。 没有灯丝。