有没有可以测量 T 级磁场强度的线性霍尔传感器？

好像没有，据我估计没有，我觉得没有，呵呵。

Hall的测量范围是几十吨，详见东芝或旭化成的产品信息，分辨率没有那么高。

如果要测量UT，请使用磁阻传感器，使用起来更方便，AMR（各向异性）磁阻可以，它可以测量地磁性（的，详见霍尼韦尔的产品信息。

如果还想测量NT，试试GMR（巨磁阻），NVE的高灵敏度巨磁阻是最合适的，最好配套国产产品，东方微磁甚至比国外还要好！ 这是我们中华民族的骄傲！

还应该可以推荐磁通门传感器。

但是，这些东西比较脆弱，必须处理好电路，必须做好磁屏蔽，否则地磁干扰会太大。

希望能帮到你，记得买国产产品吧！

1.不，霍尔的测量范围是几十吨，分辨率没有那么高。

2.霍尔传感器是根据霍尔效应制成的一种磁场传感器。 霍尔效应是一种磁电效应，是霍尔（1855-1938）在1879年研究金属导电机理时发现的。 后来发现半导体和导电流体也有这种效应，半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这种现象制成的各种霍尔元件被广泛应用于工业自动化技术、检测技术和信息处理中。

霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。 霍尔效应实验测得的霍尔系数可以确定半导体材料的导电类型、载流子浓度和载流子迁移率。

垂直于电流方向的磁场施加到导体上，使导体中的电子被洛伦兹力集中。

聚集在一起的电子在两个板之间产生电场 e=u b。

设导体为长方体改良的智慧神经丛，长度为a、b、c，磁场垂直于ab平面。

电流 i = nqvbc，n 是 b 之前的电荷密度。

根据 qvb=qe=qu b b=nqbcu ib=nqcu i，当电流通过垂直于外部磁场的导体时，载流子发生偏转。

垂直于电流和磁场的方向产生额外的电场，从而在导体的两端之间产生电位差。

这种现象称为霍尔效应，这种电位差也称为霍尔电位差。

霍尔电压传感器是一种利用霍尔效应，初级电压通过外部或内置电阻，电流限制在10mA，电流通过多匝绕组后，初级电流产生的磁场被霍尔元件通过聚光材料在气隙中检测， 并感应出相应的电动势，将电动势反馈回电路调整后的补偿线圈，然后进行补偿，补偿线圈产生的磁通量等于一次电流产生的磁通量的大小（被测电压由限流电阻产生），方向相反。这使磁芯中的磁通量保持为零。

事实上，霍尔电压传感器采用与磁平衡闭环霍尔电流传感器相同的技术，即零磁通霍尔电流传感器。

激发电流的霍尔元件在外磁场的作用下产生霍尔电位，霍尔电位的极性与激励电流和磁感应强度有关。

是相关的。

当励磁电流方向和磁感应强度垂直于磁感应强度方向时，霍尔电位最高，利用这一原理可以确定磁感应强度的方向。 但是，无法确定符号。

霍尔电位的方向与霍尔元件的类型有关，具有相同的输入，即p型半导体。

霍尔电位的极性与n型半导体的极性相反。

只有了解霍尔元件的性质，才能进一步确定磁感应强度的极性。 请在网页下搜索文字：“霍尔效应”。

银河百科全书”。

1.霍尔效应是由美国物理学家E提出的霍尔于1879年在实验中被发现，以他的名字命名，并已流传世人。 核心理论是带电粒子（例如电子）在磁场中移动时会受到洛伦兹力的偏转，磁场中的电流也可以偏转。

2. 假设导体是长方体，长度分别为 a、b 和 d，磁场垂直于 ab 平面。 电流通过AD，电流i=nqv（AD），n为电荷密度。 设霍尔电压为 vh，导体沿霍尔电压方向的电场为 vh a。

设磁感应强度为b。

洛伦兹力 f=qe+qvb c

霍尔效应是高中物理竞赛的一部分。 当霍尔电场力与洛伦磁力平衡时，霍尔片的上下平面之间形成恒定的电位差，利用这个电位差可以测量磁感应强度。

根据 e=kbicos（E为霍尔效应电压，K为霍尔器件的灵敏度，为常数，i为霍尔器件的工作电流，B为外磁场的磁感应强度，为i与B之间的垂直角度偏差）。 电流i的精度和稳定性、90°角度偏差的误差、霍尔元件灵敏度系数k的精度、霍尔效应电压e的测量误差是主要误差**。

霍尔效应消除：采用电流和磁场换向的对称测量方法，基本上可以消除测量结果中副作用的影响。 具体方法是分别改变霍尔板的电流方向（交换空间位置）和螺旋管电流的方向，但尺寸保持不变，重复实验三次，对四次实验结果求平均值。

1.当霍尔电压保持恒定，励磁电流发生变化时，测得的霍尔电压随着励磁电流的增加而增大，并且通过绘图也满足两者之间的线性关系。

2.当励磁电流保持恒定，霍尔电流发生变化时，测得的霍尔电压随着霍尔电流的增加而增大，通过绘图求出两者之间的线性关系。